BNCTの概要

BNCT(Boron Neutron Capture Therapy：ホウ素中性子捕捉療法)とは、外照射と薬剤の併用療法であり、その原理は細胞内での原子核反応を通じてがん細胞を殺傷するものです。健常細胞への影響が軽微で非侵襲的な放射線がん治療法として注目されています。

具体的には、癌細胞に高い親和性を持つ含ホウ化合物を点滴注射し、これが体内で選択的にがん細胞に集積します。その後、約1時間の中性子線照射を行います。熱中性子はがん細胞に入った10Bと核反応を起こし、強い破壊力を持つα線とLi原子核を放出し、がん細胞内部から破壊します。

BNCTの歴史

BNCTは、1960年代より臨床研究が行われており、日本が最も多くの臨床研究を行ってきました。主に、京都大学の実験炉で発生した中性子を用いて、京大だけで500例以上の臨床例が報告され、効果が確認されています。しかし、中性子発生の為に原子炉が必要なことから、臨床研究だけで、広く治療に応用されることはありませんでした。

そこで近年、原子炉ではなく、サイクロトロンやRFQ（Radio Frequency Quadrupoles）ライナックといった、大型の加速器を用いた中性子源から発生した中性子線でBNCT治療を行う試みが進んできました。しかし、いずれも加速器も10m程度の長さの加速管を持つ大型の施設であり、設置に専用の遮蔽建屋が必要などコストが高いのが課題でした。

当社の取り組み

昨今の日本国内では、毎年90万人の方が癌と診断され、35万人以上の方が亡くなっています。医学の進歩により、様々な病気の治療法が開発され死亡率が下がる中、癌に対する根本的、決定的な治療法は未だ見つかっていません。中性子を用いた放射線治療法の1種であるBNCTは、根本治療を可能とするポテンシャルを持っています。当社は、これに着目し、これまで大規模な設備が必要だったBNCTを、多くの病院に設置できるよう開発を進めています。

小型化技術

当社では、中性子を発生させるための加速器の大幅な小型化に成功しました。これまでの大型加速器中性子源では、数MVから数十MVといった非常に高い電圧で加速したイオンをLi等の金属に照射し、中性子を発生させるものでしたが、加速電圧が高いことから、大型の加速装置が必要でした。

これに対して、当社の加速器は、比較的低い電圧で加速し低エネルギーの中性子を発生させています。加速電圧が、従来方式の1/100程度であることで、小型の静電加速器で中性子を発生させています。

当社では、この高電圧、大電流の電源を実用化することで、この小型の加速器で十分な量の中性子を発生させています。また、低加速電圧であることから装置から発生する放射線エネルギーが比較的小さく、従来の大型加速器に比べて薄い遮蔽で放射線を遮蔽することができます。

当社の半導体製品

当社は、SiC半導体を使った応用製品の開発製造を行っています。SiC半導体は次世代のパワー半導体として注目されていますが、当社はSiC半導体の特性を最大限に活かす技術を保有しています。当社が保有する技術をご紹介します。

SiC半導体とは？

SiC半導体はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体です。これまでのSi半導体と比べ、オン抵抗が圧倒的に小さい（大きな電流を流すことができる）、バンドギャップが大きいため耐圧が高い（高い電圧をかけることができる）、高速動作（高い周波数でも動作する）、高温動作（400度でも動作）といった特徴があります。これらの特徴を活かし、大電力を扱う次世代パワーデバイスとして注目されています。

当社は、このSiCデバイスを用いた高耐圧ダイオードの生産技術を保有しています。